كشفت الشركة التكنولوجية الرائدة “سامسونغ إلكترونيكس” مؤخرا، عن أول وحدات ذاكرة تخزين عشوائي DDR5 بحجم 512 غيغابايت في العالم، هذه الوحدات مجمعة باستخدام تقنية “HKMG”، وهي أسرع بعدة مرات من DDR4، كما أنها أقل استهلاكا للطاقة.
وتهدف الذاكرة الجديدة، إلى تلبية المتطلبات المتعطشة للحوسبة الفائقة والذكاء الاصطناعي والتعلم الآلي، بالإضافة إلى تطبيقات تحليل البيانات، حسبما نشرت الشركة على موقعها الإلكتروني.
ويحتوي شريط ذاكرة واحد من “سامسونغ إلكترونيكس” على ثماني طبقات من رقائق DRAM، لكل منها ذاكرة بسعة 16 غيغابايت. وبذلك تمكنت الشركة المصنعة من زيادة تكوين الدائرة المصغرة إلى أقصى حد وجعل الحجم الإجمالي للذاكرة 512 غيغابايت.
في الوقت نفسه، أدى هذا الترتيب إلى زيادة السرعة حتى 7200 ميغابت/ثانية، وهو أكثر من ضعف سرعة DDR4 المعروضة في السوق.
وتمكن المهندسون أيضًا من تحقيق كفاءة أفضل في استخدام الطاقة. مقارنةً بالوحدات الجديدة، تتمتع الوحدات الجديدة باستهلاك أقل للطاقة بنسبة 13%.
this is Samsung’s 512GB DDR5 module. Rumor has it that this might be enough RAM for Chrome to live a happy life https://t.co/vhMWy1dJRP pic.twitter.com/V0DSmM3bAd
— Tom Warren (@tomwarren) March 25, 2021
وتعد تقنية (HKMG) تقنية جديدة نسبيا موجودة منذ عام 2018، تعتمد هذه التقنية على تقنية TSV.
سبوتنك